広帯域RFパワーアンプ

E&I社製アンプの特長

広い周波数範囲Electronics & Innovation社は、堅牢で信頼性の高いRFアンプを提供する先進企業です。
E&I社のアンプは、2000ワットまでの出力レベルで10kHzから1GHzまでの周波数をカバーしています。また、幅広い帯域のパワーアンプを設計・製造しており、クラスAおよびクラスABの両方を提供しています。

クラスAの性能

E&Iは、信頼あるENI社製のアンプから設計ルールや熱のガイドラインを引き継いでおり、最新の設計により先進の技術と技巧的なLDMOSデバイスの状態が組み込まれています。
これらの設計により、E&I製アンプはすべての負荷に対してエラーのリスク無しに高出力レベルで動作し、入力信号の正確で忠実な再現も提供します。

耐久性

E&I製の広帯域RFパワーアンプは、いかなる負荷VSWRに対しても耐えられるよう設計されています。
内部スイッチング電源は非常に評価されており、幅広い条件と温度に対しても安定した動作が得られるよう余裕を持った定格になっており、強制空冷は長期間の信頼性が得られるよう内部温度を低く抑えます。
RF出力は丈夫なDMoS FETを採用し、さらに余裕を持った設計により負担軽減を行い優れたMTBFを得ています。

信頼性

多くの電子機器の故障は、熱機械疲労によるものです。
E&Iは、ストレスのない接続での熱サイクルを可能にする部品の取付けや配置を確保することにより、その機械的故障を軽減するよう設計されています。
E&Iの熱設計ルールにおいては、すべてのコンポーネンツが最大でその定格値の60%で動作するよう規定されています。またRFチェーンで使用されるMos Fetは、すべてその定格電圧の40%以下で動作します。

柔軟性

E&Iのアンプは、その出力と周波数の範囲内において、AM, FM, SSB, パルスや他の複雑な変調方式等すべての波形を正確に再現します。
多くの信号発生器、周波数シンセサイザ、掃引発振器やその他の実験用信号源と互換性があります。帯域での動作は、任意のバンド切り替えや調整の必要なしに実現されます。

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