広帯域RFパワーアンプ

広帯域RFアンプモジュール:M-1020-T

RFアンプモジュール:M-1020-T

  • 他システムへの統合に
  • オールソリッドステート

200W出力、周波数10KHz~5MHz

広帯域RFアンプモジュール:M-1020-Tは、E&I社の高品質、耐久性、堅牢性を備えたアンプモジュールで、超音波、レーザー変調、誘導加熱、プラズマ装置、一般研究用などに適しており、他システムに統合して使用されるよう設計されています。
(DC電圧入力と強制空冷を必要とします)
RF出力は丈夫なDMoS FETを採用し、更に余裕を持った設計により負担軽減を行い優れたMTBFを得ています。

使いやすさ

M-1020-Tは、10KHz~5MHzの全レンジにおいて200WのクラスAB準リニア出力、公称パワーゲイン53dB(±1.5dB)を保証します。
全帯域をカバーする為のバンド切換はもとより調整等は一切必要ありません。

仕様

動作クラス クラスAB
周波数レンジ 10KHz-5MHz
定格出力 200W
飽和出力 30KHz ~ 4MHz > 300 W
ゲイン 53dB(nominal)
ゲイン偏差 ±1.5dB
定格出力を得る為の入力値 1.0mWまたは0dBm
入力インピーダンス / VSWR 50Ω / 1.5:1 max
出力インピーダンス / VSWR 50Ω / 2:1 max
耐久性 出力端の短絡、開放を含むいかなるVSWR、位相にも耐える
パワーメータ精度 ±3%(2MHzまで)
入力信号源の仕様 信号発生器、ファンクション・ジェネレータ、または0.65Vpp/50Ωまでのオシレータ
保護
入力
+13dBmまでの過入力に耐える。
動作時環境温度 0-45℃
電力要件 42/24 VDC
10/2 Amps @ 200 W
サイズ 118.4mm(H) X 100mm(W) X 246mm(D)

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