クラスA 100W出力、周波数10KHz~12MHz
- 他システムへの統合に
- オールソリッドステート
広帯域RFアンプモジュール:M-2100-Tは、E&I社の高品質、耐久性、堅牢性を備えたアンプモジュールで、超音波、レーザー変調、誘導加熱、プラズマ装置、一般研究用などに適しており、他システムに統合して使用されるよう設計されています。
(DC電圧入力と強制空冷を必要とします)
使いやすさ
M-2100-Tは、10KHz~12MHzの全レンジにおいて100WのクラスAリニア出力を保証し、高調波歪やIMDは大変低く抑えられています。
全帯域をカバーする為のバンド切換はもとより調整等は一切必要なく、常に50dB(Typ)のゲインが得られ偏差は帯域内で±1.5dBです。
堅牢設計
M-2100-Tは、13dBm(1.0Vrms/50Ω)の入力やいかなる負荷VSWRにも耐えられるよう設計されています。
RF出力は丈夫なDMoS FETを採用し、更に余裕を持った設計により負担軽減を行い優れたMTBFを得ています。
仕様
動作クラス | クラスA |
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周波数レンジ | 10KHz-12MHz |
定格出力 | 100W(1dBコンプレッション) |
飽和出力 | 10 KHz-12 MHz |
ゲイン | 50dB (nominal) |
ゲイン偏差 | ±1.5dB |
定格出力を得る為の入力値 | 1mW max |
入力インピーダンス / VSWR | 50Ω / 1.5:1 max |
出力インピーダンス / VSWR | 50Ω / 2:1 max |
高調波レベル | < -25dBc @ 100 W |
耐久性 | ∞:1 VSWR |
安定度 | いかなる受動負荷に対しても無条件安定 |
保護 |
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3次インターセプトポイント | IP3:+60dBm |
DC入力 | 24 V @ 1 A 42 Vdc @ 9 A (100W) |
動作時環境温度 | 0-40℃ |
冷却 | ヒートシンクの温度を85℃以下に保つため、強制空冷を必要とします |
質量 | 5.5kg |
サイズ | 15.2 × 11.5 × 25.4cm |
製品カタログ
アンプモジュール:M-2100-Tのカタログにつきましては、「お問い合わせフォーム」よりご遠慮なくお問い合わせください。