広帯域RFパワーアンプ

広帯域RFアンプモジュール:M-2100-T

RFアンプモジュール:M-1020-T

  • 他システムへの統合に
  • オールソリッドステート

クラスA 100W出力、周波数10KHz~12MHz

広帯域RFアンプモジュール:M-2100-Tは、E&I社の高品質、耐久性、堅牢性を備えたアンプモジュールで、超音波、レーザー変調、誘導加熱、プラズマ装置、一般研究用などに適しており、他システムに統合して使用されるよう設計されています。
(DC電圧入力と強制空冷を必要とします)

使いやすさ

M-2100-Tは、10KHz~12MHzの全レンジにおいて100WのクラスAリニア出力を保証し、高調波歪やIMDは大変低く抑えられています。
全帯域をカバーする為のバンド切換はもとより調整等は一切必要なく、常に50dB(Typ)のゲインが得られ偏差は帯域内で±1.5dBです。

堅牢設計

M-2100-Tは、13dBm(1.0Vrms/50Ω)の入力やいかなる負荷VSWRにも耐えられるよう設計されています。
RF出力は丈夫なDMoS FETを採用し、更に余裕を持った設計により負担軽減を行い優れたMTBFを得ています。

仕様

動作クラス クラスA
周波数レンジ 10KHz-12MHz
定格出力 100W(1dBコンプレッション)
飽和出力 10 KHz-12 MHz
ゲイン 50dB (nominal)
ゲイン偏差 ±1.5dB
定格出力を得る為の入力値 1mW max
入力インピーダンス / VSWR 50Ω / 1.5:1 max
出力インピーダンス / VSWR 50Ω / 2:1 max
高調波レベル < -25dBc @ 100 W
耐久性 ∞:1 VSWR
安定度 いかなる受動負荷に対しても無条件安定
保護
入力
最大+13dBm(1.0Vrms)までの過入力とVSWR無限大の負荷に耐える
3次インターセプトポイント IP3:+60dBm
DC入力 24 V @ 1 A
42 Vdc @ 9 A (100W)
動作時環境温度 0-40℃
冷却 ヒートシンクの温度を85℃以下に保つため、強制空冷を必要とします
質量 5.5kg
サイズ 15.2 × 11.5 × 25.4cm

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